產(chǎn)品簡介

工業(yè)超聲波分散設(shè)備可用于石墨烯，油墨涂料等分散，均質(zhì)化處理；石油乳化；中藥萃取加工；細(xì)胞，壓載水破碎，消毒處理；化工原料加速反應(yīng)等方面。

詳細(xì)介紹

• 工業(yè)超聲波分散設(shè)備可用于石墨烯，油墨涂料等分散，均質(zhì)化處理；石油乳化；中藥萃取加工；細(xì)胞，壓載水破碎，消毒處理；化工原料加速反應(yīng)等方面。

  分散方法對比

  1.微機(jī)械剝離法

• 用膠帶直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來，不斷重復(fù)這個過程。

• 使用一種材料與膨化或引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦，體相石墨的表面會產(chǎn)生絮片狀的晶體，絮片狀晶體中含有單層石墨烯。

• 缺點：石墨烯產(chǎn)量低，面積小，難以控制尺寸，效率低，不能大規(guī)模制備。

• 2.化學(xué)氣相沉積法

• 將一種或多種含碳的氣態(tài)物質(zhì)（通常為低碳的有機(jī)物氣體）通入到真空反應(yīng)器中，通過高溫使含碳的氣體分解碳化（通常為低碳的有機(jī)物氣體），在基底表面生長出一種碳單質(zhì)的過程。

• 缺點：石墨烯的六角蜂窩狀晶體結(jié)構(gòu)，無法完全石墨化，品質(zhì)不如微機(jī)剝離法的好，高昂的成本及苛刻的設(shè)備要求都限制了其規(guī)?；苽涫?，還需要加入催化劑降低了石墨烯純度。

• 3.晶體外延取向生長法

• 一種是通過加熱單晶 6H-SiC 脫除 Si，從而在 SiC 晶體表面外延生長石墨烯。石墨烯和 Si 層接觸，這種石墨烯的導(dǎo)電性受到基底影響；另一種是利用金屬單晶中的微量碳成分，通過在真空下高溫退火，金屬內(nèi)碳元素在金屬單晶表面析出石墨烯。

• 缺點：石墨烯薄膜厚度不均勻，難以控制，生成的石墨烯緊緊地黏貼在基底上難以剝離，會影響石墨烯的特性。同時需在超真空及高溫條件下生長，條件極為苛刻，設(shè)備要求高，無法實現(xiàn)大規(guī)模、可控制備石墨烯。

• 4.氧化石墨還原法

• 氧化石墨烯一般由石墨經(jīng)強(qiáng)酸氧化而得。主要有三種制備氧化石墨的方法：Brodie法，Staudenmaier法和Hummers法，其中Hummers法石墨烯分散需加入超聲波輔助。

• 特點：Hummers法石墨烯分散：方法簡單，耗時較短，處理量大，安全，是目前常用的一種。

• 5.超聲輔助法

• 工業(yè)超聲波分散設(shè)備采用超聲波輔助Hummers法制備氧化石墨烯，是以液體為媒介，在液體中加入高頻率超聲波振動。由于超聲是機(jī)械波，不被分子吸收，在傳播過程中引起分子的振動運動?？栈?yīng)下，即高溫、高壓、微射流、強(qiáng)烈振動等附加效應(yīng)下分子間的距離因振動增加其平均距離，導(dǎo)致分子破碎。能更有效地提高氧化石墨層間距，且隨著超聲波功率的提高，所得到的氧化石墨的層間距呈擴(kuò)大趨勢。

• 超聲波瞬間釋放的壓力破壞了石墨烯層與層之間的范德華力，使得石墨烯更加不容易團(tuán)聚在一起。層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子、原子等插入層間形成氧化石墨插層復(fù)合材料，而且易于被剝離成單層氧化石墨，為進(jìn)一步制備單層石墨烯打下基礎(chǔ)。

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