MVME162-026A

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由于低導(dǎo)通電阻與廣域電流/電壓能力，并得益于各種成套選項，包括經(jīng)業(yè)內(nèi)認可且測量精度可達1.53 mm x 0.77 mm的LGA裝置，你可輕松借助TI的MOSFET強化你的設(shè)計，而無需在性能上妥協(xié)。例如，100V NexFET?CSD19537Q3采用3.3-mm x 3.3-mm SON封裝的N通道功率MOSFET可以控制建筑物內(nèi)HVAC系統(tǒng)的交流負荷。

控制直流負荷

功率BJT或MOSFET通?？刂浦绷髫摵?。功率BJT為單向且完全可控裝置，功率MOSFET則為雙向性但僅在一個方向可控，如前文I中所述。由于直流電流為單極性，僅需要一個BJT或MOSFET，如圖4所示。這兩個裝置均需要一個恒定的控制信號以保持在接通狀態(tài)。SCR與TRIAC不適合此類應(yīng)用，因為直流負荷的電流不會變?yōu)榱悴⑹惯@兩種裝置自然斷開。直流負荷的一個示例是家用電器或工業(yè)系統(tǒng)內(nèi)的直流電機。

MVME162-026A 

Siemens Micromaster 6SE3113-6CA40 #2985

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Siemens 6SE3113-6BA40 Micromaster

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Siemens Micromaster 420 1,5KW o. F6SE6420-2UD21-5AA1 

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SIEMENS 6SE3211-4DA40 MICROMASTER VECTOR

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