各種靶材用于磁控濺射工藝制備銅銦鎵硒(CIGS薄膜)  碲化鎘(CdTe薄膜) 各種化合物濺射靶材

（聯(lián)系人：冉松林，電話：13541048799，郵箱：：122686839）

一，四元合金靶材：CIGS 靶材

1，常規(guī)原子比：1：0.7：0.3：2或者 1：0.8：0.2：2（客戶亦可根據(jù)自身工藝制訂原子比例）

技術(shù)對(duì)接：CVD合成四元合金（高精分析天平稱量，各種元素的配比公差低于百萬(wàn)分之一）--氮?dú)獗Ｗo(hù)下研磨制粉–HP（熱壓）--檢驗(yàn)—打磨，拋光。

2，檢驗(yàn)：ICP-MS；XRD

通過(guò)ICP-MS 檢測(cè)雜質(zhì)含量：5N的CIGS 靶材的雜質(zhì)元素總和小于10ppm.

通過(guò)XRD衍射：CIGS 具備閃鋅黃銅礦結(jié)構(gòu)。（可提供檢驗(yàn)報(bào)告（見下）和樣品）。

3，靶材致密度：大于93%。

4，服務(wù)：可免費(fèi)提供導(dǎo)電玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客戶后的硒化工藝，因?yàn)榇趴貫R射CIGS的過(guò)程中有硒的流失。

5，安全防護(hù)措施：提供MSDS及濺射過(guò)程中的必要防護(hù)。

二，三硒化二銦（In2Se3）靶材；三硒化二鎵（Ga2Se3）靶材，硒化亞銅（Cu2Se），或者硒化銅（CuSe）靶材

技術(shù)對(duì)接：CVD 合成二元合金–HP（熱壓）--檢驗(yàn)—打磨，拋光。

三，銅鎵（CuGa）；銅銦（CuIn）；銅鎵銦（CuGaIn）靶材

*配方原子比例：客戶可自選，我方亦可以提供常規(guī)原子比例。

四，銅（Cu）靶；銦（In）靶，硒（Se）靶

技術(shù)對(duì)接：澆鑄

五，CIGS 配套靶材

N型：硫化鎘（CDS）靶，硫化鋅（ZnS）靶，硒化鋅（ZnSe）靶。

氧化鋅鋁（AZO）靶，鉬（Mo）靶

1，由于硫化鎘有毒，所以硫化鋅，硒化鋅靶為其替代品。試驗(yàn)表明硒化銦也有此屬性。

　　2，硫化鎘，硫化鋅，硒化鋅制備工藝：CVD 高純氬氣攜帶金屬蒸汽（鎘，鋅蒸汽）進(jìn)入反應(yīng)室與過(guò)量的H2S，H2Se 氣體氣相沉積而成。

六，碲化鎘（CdTe）靶材；硫化鎘（CdS）靶材；

高致密，高純度

碲化物靶材：碲化鉍（Bi2Te3）靶材；碲化銻（Sb2Te3）靶材；碲化鋅（ZnTe）靶材；碲化銅（CuTe）靶材；碲化鉛（PbTe）靶材；碲化銦（InTe）靶材；碲化鎘（CdTe）靶材等

硒化物靶材：硒化鉍（Bi2Se3）靶材；硒化銅（CuSe）靶材；硒化鉛（PbSe）靶材等

銻化物靶材：銻化銦（InSb）靶材；銻化鎘（CdSb）靶材；銻化鋅（Zn4Sb3）靶材等

硫化物靶材：硫化鋅（ZnS）靶材；硫化銦（In2S3）靶材；硫化鎘（CdS）靶材；硫化鉍（Bi2S3）靶材等

氧化物靶材：氧化鋅（ZnO）靶材；氧化鎵（Ga2O3）靶材；氧化銦（In2O3）靶材等

氮化物靶材：氮化銦（InN）靶材；氮化鎵（GaN）靶材