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GE配件IC693PTM100

詳細(xì)信息

IC693PTM100傳統(tǒng)的三相交流電機(jī)在高達(dá) 1,000V 的電壓和高達(dá) 20kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行。這樣的操作參數(shù)完全在用于構(gòu)建電機(jī)驅(qū)動(dòng)后階段的反相橋的廉價(jià)且商業(yè)上廣泛使用的硅 MOSFET 的能力范圍內(nèi)。

然而，由于這些原因，硅晶體管在高功率密度電機(jī)應(yīng)用中達(dá)到了極限。

  • 組件相對(duì)較低的擊穿電壓限制了電源電壓；

  • 隨著工作頻率的升高，晶體管的開關(guān)損耗（由晶體管每次從開到關(guān)時(shí)的殘余電阻和電容引起）迅速超過效率增益；

  • 由于開關(guān)時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，器件會(huì)達(dá)到一個(gè)閾值，超過該閾值就無法進(jìn)行更高頻率的操作。

IGBT 較高的擊穿電壓提供了一些喘息的機(jī)會(huì)，允許工程師提高工作電壓和工作頻率。但隨著工作頻率攀升至 50kHz 以上，IGBT 開始遭受不可接受的開關(guān)損耗并且不能足夠快地開關(guān)。

IC693PTM100 


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